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　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我国关描写瘦西湖春天的诗句，扬州瘦西湖美景佳句(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施的(de)运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外(wài)开放(fàng)，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共和(h描写瘦西湖春天的诗句，扬州瘦西湖美景佳句é)国国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设(shè)备国(guó)产化进程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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